Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев

Аппарат полуавтомат 2х головочный РПС 5 для разлива спокойных жидкостей 380В 1КВТ 250-500БУТ/ЧАС 1500/500/1500ММ 142КГ ООО ГК "СТАНДАРТПРОДМАШ" Россия

Станция водоподготовки рабочей жидкости фильтрация деионизация, подача рабочей жидкости под давлением АРТА-СВ31М для резки термоэлектрических пластин

Аппарат охлаждающий CE6S для резки термоэлектрических пластин

Система прецизионной резки с двумя шпинделями ADT 7900 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей

Установка монтажа полупроводниковых пластин на носитель ADT 966 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей

Установка УФ-экспонирования ADT 955 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей

Установка отмывки полупроводниковых пластин и подложек ADT 977 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей

Система фильтрации воды замкнутого типа ADT 927 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей

Станок проволочно-вырезной прецизионный 2-х осевой электроэрозионый резки термоэлектрических пластин АРТА 123 ПРО резки термоэлектрических пластин

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: Ø 76, 100, 150, 200ММ-1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200ММ – 1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-01к 16КВТ нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой МАГНА ТМ 200-01 16КВТ нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-04К 15КВТ нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Магна ТМ 200-04 нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01К 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-02 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ

Установка вакуумная шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-02К 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-03 15.5КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ