Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-03К 16КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-04 атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-04К атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-01 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету ИЗОФАЗ ТМ 200-01К 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02 формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02к формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ