АО НИИТМ

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200ММ – 1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: Ø 76, 100, 150, 200ММ-1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка вакуумная МАГНА ТМ 22 20КВТ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

Установка вакуумная МАГНА ТМ 29 25КВТ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

Установка вакуумная МАГНА ТМ 300 16КВТ нанесения пленок методом магнетронного распыления и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету

Установка вакуумная МАЛОГАБАРИТНАЯ ГЛУБОКОГО АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ МВУ ТМ ПЛАЗМА 06 5.5КВТ

Установка вакуумная МАЛОГАБАРИТНАЯ МВУ ТМ МАГНА 12 4.5КВТ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА НА ПОДЛОЖКУ

Установка вакуумная МАЛОГАБАРИТНАЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ, УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА И СТЕРИЛИЗАЦИИ ПЛАЗМА ТМ 4 4.5КВТ

Установка вакуумная ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗОФАЗ ТМ 300 21КВТ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

Установка вакуумная ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ ПЛАЗМА ТМ 300 21КВТ С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫВ КАССЕТУ

Установка вакуумная ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ ПЛАЗМА ТМ 9 7КВТ С ICP ИСТОЧНИКОМ

Установка вакуумная Промышленно-ориентированный технологический комплекс Кластер ТМ 200 для реализации базовых технологических процессов (БТП) в производстве широкой номенклатуры электронной компонентной базы (ЭКБ) на предприятиях радиоэлектронной промышленности

Установка вакуумная РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ ПЛАЗМА ТМ 8 12КВТ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

Установка вакуумная Четырёхпозиционная ЭЛИМ ТМ 5 20КВТ нанесения плёнок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения со шлюзовой загрузкой

Установка вакуумная Четырёхпозиционная нанесения плёнок методом магнетронного распыления со шлюзовой загрузкой МАГНА ТМ 5 20КВТ

Установка вакуумная нанесения плёнок методом магнетронного распыления МАГНА ТМ 7 4.5КВТ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-01 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету ИЗОФАЗ ТМ 200-01К 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02 формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02к формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ