АО НИИТМ

Установка вакуумная реактивно-ионного травления слоёв ПЛАЗМА ТМ 7 3КВТ со шлюзовой загрузкой

Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-02 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01К 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой МАГНА ТМ 200-01 16КВТ нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Магна ТМ 200-04 нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-03 15.5КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-04 атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-01к 16КВТ нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-04К 15КВТ нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-03К 16КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-04К атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности АО НИИТМ

Установка вакуумная шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-02К 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ