АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01К 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ

Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-02 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ

Установка вакуумная шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-02К 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-03 15.5КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-03К 16КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-04 атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности

Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-04К атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-01 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету ИЗОФАЗ ТМ 200-01К 14КВТ атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02 формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: Ø 76, 100, 150, 200ММ-1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200ММ – 1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ

Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02к формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ