
Для эффективного участия в торгах и быстрого начала работы на ЭТП ГПБ рекомендуем вам воспользоваться услугой сопровождения.
- 8 800 222-07-60
- +7 495 150-06-61
- На связи 24/7
Добавлено в корзину!
Отправить запросУдалено из корзины
Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-04К 15КВТ нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ
Для закупок по 223 ФЗ и корпоративных закупок на Торговом портале ЭТП ГПБ доступен следующий объект торгов: Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету МАГНА ТМ 200-04К 15КВТ нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ- Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
10

Если Вы являетесь поставщиком этого товара, Вы также можете разместить его на нашем Торговом портале. 
- Цена
- Не указана
- Единица измерения:
- ШТ
- Дата обновления:
- 03.10.2023
- Код позиции ЭТП
- 1365279.5.6
- Ключевые слова:
- сделано в России
Поставщики
- ПодробнееЦена без НДС, руб.Не указанаСтавка НДС, %0.0Цена с НДС, руб.Не указанаСпецификацияПроизводство целлюлозы и древесной массыХарактеристикиИндивидуальная обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм – 1 шт.; Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в рабочую на основе манипулятора; Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете; ВЧ рабочий стол с вертикальным перемещением, поддержкой температуры в диапазоне -20…+450°C, подачей аргона под пластину и прижимом; Магнетронное распылительное устройство с вращающимся магнитным блоком; Предусмотрен режим нанесения пленок из мишени Ø 300мм в импульсном режиме при мощности 10-15 кВт для заполнения глубоких канавок и щелей в изделиях; Механическая заслонка для защиты рабочей поверхности пластины; Система прогрева стенок рабочей камеры до +120°С; Сменные экраны для предотвращения запыления рабочей камеры; Скорость нанесения Сu, не менее 5 нм/с, TiN, не менее 2 нм/с; Может входить в кластерный комплекс.Минимальная партия1Регионы поставки—Не указана
Похожие товары
Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой Магна ТМ 200-04 нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др. АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-03К 16КВТ высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Система прецизионной резки с двумя шпинделями ADT 7900 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы со шлюзовой загрузкой ИЗОФАЗ ТМ 200-02к формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др. АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой Плазма ТМ 200-02 19КВТ глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная со шлюзовой загрузкой МАГНА ТМ 200-01 16КВТ нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная с ICP источником и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Аппарат полуавтомат 2х головочный РПС 5 для разлива спокойных жидкостей 380В 1КВТ 250-500БУТ/ЧАС 1500/500/1500ММ 142КГ ООО ГК "СТАНДАРТПРОДМАШ" Россия
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
от 337800₽
Станок проволочно-вырезной прецизионный 2-х осевой электроэрозионый резки термоэлектрических пластин АРТА 123 ПРО резки термоэлектрических пластин
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка монтажа полупроводниковых пластин на носитель ADT 966 для прецизионной резки термоэлектрических ветвей
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка вакуумная с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету Плазма ТМ 200-01К 14КВТ плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии) АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана
Установка быстрого термического отжига со шлюзовой загрузкой из кассеты в кассету БТО ТМ 200 отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др. индивидуальная обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: Ø 76, 100, 150, 200ММ-1ШТ, транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора, шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете, многозонный ИК−нагрев пластин до температуры 1200ГРАД ЦЕЛЬС, скорость нагрева, не менее 100°С/С, безмасляная откачка АО НИИТМ
Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев
Не указана